Основные параметры биполярного транзистора BFQ52

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pF
Производитель: PHILIPS
Корпус: TO72
Найти datasheet