Основные параметры биполярного транзистора BFQ645

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 40mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
Производитель: PHILIPS
Корпус: SOT89
Найти datasheet