Основные параметры биполярного транзистора BFT15

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 ... 100
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pF
Производитель: ITT
Корпус: TO50
Найти datasheet