Справка

Основные параметры биполярного транзистора BFT50

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 280mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 22V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5GHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pF
  
• Производитель: STE
  
• Корпус: TO72
  
• Найти datasheet