Основные параметры биполярного транзистора BFV16

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Производитель: TI
Корпус: TO122
Найти datasheet