Справка

Основные параметры биполярного транзистора BFX32

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  
• Производитель: STE
  
• Корпус: X09
  
• Найти datasheet