Справка

Основные параметры биполярного транзистора BSW50

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 65V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 800mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 32 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: ITT
  
• Корпус: TO5
  
• Найти datasheet