Основные параметры биполярного транзистора BSX35

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 6V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FAIRCHILD
Корпус: TO18
Найти datasheet