|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N3283Основные параметры биполярного транзистора 2N3283 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pF
- Производитель: MOTOROLA
- Корпус: TO72
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N2613 |
Ge | pnp | 120mW | 30V | - | - | 50mA | 4MHz | 120 (min) | TO1 | | 2N3284 |
Ge | pnp | 100mW | 25V | - | - | 50mA | 250MHz | 10 (min) | TO72 | | 2N3285 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | - | - | 50mA | 250MHz | 5 (min) | TO72 | | 2N3286 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | - | - | 50mA | 200MHz | 5 (min) | TO72 | | 2SA475 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | - | - | 50mA | 12MHz | 70 | TO1 | | 2SB400 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | - | - | 40mA | 400KHz | 100 | TO1 | | 40359 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | - | - | 50mA | - | 20 (min) | TO18 | | GFT22/30 |
Ge | pnp | 80mW | 30V | ## | ## | 50mA | 1.3MHz | 150 (min) | TO30 | | GFT25/30 |
Ge | pnp | 80mW | 30V | ## | ## | 50mA | 850KHz | 50 (min) | TO5 | | GS109B |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 50mA | - | 30 (min) | TO39 | | GS109C |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 50mA | - | 60 (min) | TO39 | | GS109D |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 50mA | - | 90 (min) | TO39 | |
|
|
|