Основные параметры биполярного транзистора DT1612

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 75V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Производитель: ROHM
Корпус: TO5
Найти datasheet