Основные параметры биполярного транзистора DT32-1050

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1700W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1050V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 125A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 7 (min)
Производитель: N/A
Корпус: DISK42
Найти datasheet