Основные параметры биполярного транзистора DTN1006

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 500V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
Производитель: ROHM
Корпус: TO92
Найти datasheet