|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора DTS2000Основные параметры биполярного транзистора DTS2000 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 720mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 600mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10000
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: ROHM
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1410 |
Si | npn | 600mW | 45V | - | - | 500mA | 50MHz | 30 ... 90 | TO5 | | 2N1410A |
Si | npn | 800mW | 45V | - | - | 500mA | 120MHz | 30 ... 90 | TO5 | | 2N1946 |
Si | npn | 600mW | 40V | - | - | 500mA | 60MHz | 150 (min) | TO5 | | 2N1949 |
Si | npn | 600mW | 40V | - | - | 500mA | 60MHz | 500 (min) | TO5 | | 2N1952 |
Si | npn | 600mW | 40V | - | - | 500mA | 60MHz | 250 (min) | TO5 | | PT802 |
Si | npn | 600mW | 45V | - | - | 500mA | 50MHz | 30 ... 90 | TO5 | |
|
|
|