Основные параметры биполярного транзистора E1B

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 5W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 250mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
Производитель: ELANTEC
Корпус: M122
Найти datasheet