Основные параметры биполярного транзистора 2N3550

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 200 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Производитель: CSR
Корпус: TO18
Найти datasheet