Основные параметры биполярного транзистора ESM2012DV

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 175W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 150V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 120A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1200 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: STE
Корпус: ISOTOP
Найти datasheet