|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора ET10020Основные параметры биполярного транзистора ET10020 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 200V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 60A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
- Производитель: N/A
- Корпус: TO3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус2SC3706 |
Si | npn | 200W | 230V | - | - | 50A | - | 40 ... 80 | TO3 | 2SC4174 |
Si | npn | 200mW | 180V | - | - | 50mA | 120MHz | 70 ... 140 | TO236 | 2SD1464 |
Si | npn | 300mW | 180V | - | - | 50mA | 140MHz | 20 (min) | SP0 | |
|
|
|