Основные параметры биполярного транзистора ET386

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 40W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 250V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1000
Производитель: N/A
Корпус: TO220
Найти datasheet