Основные параметры биполярного транзистора FN1L4L

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 95 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: RAYTHEON
Корпус: TO236
Найти datasheet