Основные параметры биполярного транзистора FP50301

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 170 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Производитель: Fine Product*
Корпус: TO92
Найти datasheet