Основные параметры биполярного транзистора FXT755SM

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 150V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
Производитель: ZETEX
Корпус: SO96
Найти datasheet