|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GC217Основные параметры биполярного транзистора GC217 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 60 pF
- Производитель: FAIRCHILD
- Корпус: TO5
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | КорпусNKT11 |
Ge | pnp | 75mW | 18V | 10V | 12V | 100mA | 15MHz | 90 (min) | TO1 | NKT12 |
Ge | pnp | 75mW | 18V | 10V | 12V | 100mA | 12MHz | 45 (min) | TO1 | |
|
|
|