Основные параметры биполярного транзистора GE10022

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 350V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 40A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
Производитель: GENERAL SEMI
Корпус: TO3
Найти datasheet