Основные параметры биполярного транзистора GES3496

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: GENERAL SEMI
Корпус: TO92
Найти datasheet