Основные параметры биполярного транзистора GES4060

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 625mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45 ... 165
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: GENERAL SEMI
Корпус: TO92
Найти datasheet