Основные параметры биполярного транзистора GES5813

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 750mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
Производитель: GENERAL SEMI
Корпус: TO92
Найти datasheet