Основные параметры биполярного транзистора 2N1073B

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 60
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: RAYTHEON
Корпус: TO3
Найти datasheet