vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GET874
    Каталог - Биполярные транзисторы

    Основные параметры биполярного транзистора GET874

    • Материал: Ge
    • Структура: pnp
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 55mW
    • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
    • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
    • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
    • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
    • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
    • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
    • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
    • Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
    • Производитель: PHILIPS
    • Корпус: TO1
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
    Похожие по параметрам:
    Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
    2S307 Sipnp50mW15V15V15V10mA1MHz30 (min) TO5
    2S327 Sipnp50mW15V15V15V10mA1MHz30 (min) TO1
    2S327 Sipnp50mW15V15V15V10mA1MHz30 (min) TO1
    2SA180 Gepnp50mW15V12V15V10mA4MHz35 (min) TO1
    2SA181 Gepnp50mW15V12V15V10mA2MHz30 (min) TO1
    2SA182 Gepnp50mW15V12V15V10mA2MHz30 (min) TO1
    2SA183 Gepnp50mW15V12V15V10mA7MHz30TO1
    2SA184 Gepnp50mW15V12V15V10mA1MHz25 (min) TO1
    GET873 Gepnp55mW15V12V15V10mA2MHz20 (min) TO1
    GET875 Gepnp55mW15V12V15V10mA8MHz50 (min) TO1
    Яндекс.Метрика