Основные параметры биполярного транзистора GI2926

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): ##
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 470 (min)
Производитель: GI
Корпус: TO18
Найти datasheet