Основные параметры биполярного транзистора GS-H9012

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 600mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 64 ... 202
Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
Производитель: STE
Корпус: TO92
Найти datasheet