Основные параметры биполярного транзистора GSDB10008

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 15W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 160
Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
Производитель: N/A
Корпус: TO5
Найти datasheet