Справка

Основные параметры биполярного транзистора GT2884

• Материал: Ge
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 9V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100 (min)
  
• Производитель: GI
  
• Корпус: TO5
  
• Найти datasheet