|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT758Основные параметры биполярного транзистора GT758 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 14 pF
- Производитель: GI
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| GS111B |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 30 (min) | TO39 | | GS111C |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 60 (min) | TO39 | | GS111D |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 90 (min) | TO39 | | GS111E |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 120 (min) | TO39 | | GS112B |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 30 (min) | TO39 | | GS112C |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 60 (min) | TO39 | | GS112D |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 90 (min) N | TO39 | | GS112E |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 210mA | - | 120 (min) | TO39 | | GT759 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | ## | ## | 200mA | 1.7MHz | 25 (min) | TO5 | | GT764 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | ## | ## | 200mA | 25MHz | 200 (min) | TO5 | |
|
|
|