Справка

Основные параметры биполярного транзистора GT81H

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 12V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 (min)
  
• Производитель: GI
  
• Корпус: TO5
  
• Найти datasheet