|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT82Основные параметры биполярного транзистора GT82 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150 (min)
- Производитель: GI
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N2613 |
Ge | pnp | 120mW | 30V | - | - | 50mA | 4MHz | 120 (min) | TO1 | | 2S38 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | - | - | 50mA | - | 70 | TO40 | | 2SA401 |
Ge | pnp | 125mW | 20V | - | - | 40mA | 100MHz | 70 | TO44-2 | | 2SA475 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | - | - | 50mA | 12MHz | 70 | TO1 | | 2SB99 |
Ge | pnp | 125mW | 30V | - | - | 50mA | 600KHz | 120 | TO5 | | 40359 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | - | - | 50mA | - | 20 (min) | TO18 | | GT81 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | ## | 75 (min) | TO5 | | GT83 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | 1MHz | 42 (min) | TO5 | | GT87 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | 700KHz | 28 (min) | TO5 | | GT88 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | 15MHz | 80 (min) | TO5 | |
|
|
|