|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPG0001Основные параметры биполярного транзистора HEPG0001 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 85 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
- Производитель: CDIL
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N2622 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | - | - | 100mA | 15MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N2623 |
Ge | pnp | 150mW | 32V | - | - | 100mA | 16MHz | 20 (min) | TO5 | | 2N2625 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | - | - | 100mA | 15MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N2626 |
Ge | pnp | 150mW | 32V | - | - | 100mA | 16MHz | 20 (min) | TO5 | | 2N2628 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | - | - | 100mA | 15MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N2629 |
Ge | pnp | 150mW | 32V | - | - | 100mA | 16MHz | 10 (min) | TO5 | | 40329 |
Ge | pnp | 125mW | 25V | - | - | 100mA | - | 40 (min) | TO5 | | GS122 |
Ge | pnp | 150mW | 30V | - | - | 100mA | - | 90 (min) | TO39 | |
|
|
|