Основные параметры биполярного транзистора HSE112

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): ##
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5.5MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
Производитель: CDIL
Корпус: TO5
Найти datasheet