Основные параметры биполярного транзистора IDB435

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 25W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 240
Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
Производитель: ITT
Корпус: TO220
Найти datasheet