Справка

Основные параметры биполярного транзистора IMBT4400

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 310mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pF
  
• Производитель: ITT
  
• Корпус: TO236
  
• Найти datasheet