Основные параметры биполярного транзистора IMH8A

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 68 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: ROHM
Корпус: SO6
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Матер.	Струк.	Pk	Uкб	Uкэ	Uэб	Iк	ft	hfe	Корпус
2N1672A	Ge	npn	120mW	40V	-	-	100mA	2MHz	15 (min)	TO5
2SC4081	Si	npn	100mW	50V	-	##	100mA	180MHz	200 (min)	TO236
FMG11A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
FMG12	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
FMG13	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
FMG1A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	56 (min)	SO6
FMG2A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	68 (min)	SO6
FMG3A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
FMG4A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
FMG5A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
FMG6A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
FMG8A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	68 (min)	SO6
FMG9A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
IMH10A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	33 (min)	SO6
IMH11A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
IMH14A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
IMH1A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	56 (min)	SO6
IMH2A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	68 (min)	SO6
IMH3A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
IMH4A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
IMH5A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
IMH6A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
IMH7A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	30 (min)	SO6
IMH9A	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
UMG11N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
UMG12N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMG13N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMG1N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	56 (min)	SO6
UMG2N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	68 (min)	SO6
UMG3N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMG4N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMG5N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
UMG6N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMG8N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	68 (min)	SO6
UMG9N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
UMH10N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	33 (min)	SO6
UMH11N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
UMH1N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	56 (min)	SO6
UMH2N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	68 (min)	SO6
UMH3N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMH4N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMH5N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6
UMH6N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	100 (min)	SO6
UMH7N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	30 (min)	SO6
UMH8N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	68 (min)	SO6
UMH9N	Si	npn	100mW	50V	-	-	100mA	140MHz	80 (min)	SO6