Основные параметры биполярного транзистора IMX9

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 560 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: ROHM
Корпус: SO6
Найти datasheet