|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N3836Основные параметры биполярного транзистора 2N3836 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 25W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 7A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 2000
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 200 pF
- Производитель: TI
- Корпус: X55-3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус2SC4496 |
Si | npn | 30W | 90V | - | - | 8A | - | 200 (min) | TO220 | 2SD1924 |
Si | npn | 25W | 80V | - | - | 8A | - | 5000 | TO126 | 2SD2202 |
Si | npn | 25W | 90V | - | - | 7A | 20MHz | 30 ... 90 | TO220 | 2SD2203 |
Si | npn | 30W | 90V | - | - | 7A | 20MHz | 30 ... 90 | TO220 | |
|
|
|