Основные параметры биполярного транзистора KGS1000

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 400mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 14 pF
Производитель: STC
Корпус: TO5
Найти datasheet