Основные параметры биполярного транзистора KSC5367F

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 40W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1600V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 12 ... 35
Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
Производитель: SAMSUNG
Корпус: ISO220
Найти datasheet