Основные параметры биполярного транзистора KSP76

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 625mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10000
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: SAMSUNG
Корпус: TO92
Найти datasheet