Основные параметры биполярного транзистора 2N3995

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): 4 pF
Производитель: TI
Корпус: TO5
Найти datasheet