Основные параметры биполярного транзистора KTB817

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 200
Производитель: KEC
Корпус: TO-3P
Найти datasheet