Основные параметры биполярного транзистора MG100H2DL1

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 600V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 (min)
Производитель: TOSHIBA
Корпус: X99
Найти datasheet