Основные параметры биполярного транзистора MJ150BK100

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1000V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100 (min)
Производитель: MOTOROLA
Корпус: X99
Найти datasheet