Основные параметры биполярного транзистора MMBR536

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5.5GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pF
Производитель: MOTOROLA
Корпус: TO236
Найти datasheet